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等離子裝置清洗原理與清理方式


湖南弘林科學(xué)儀器有限公司 / 2016-04-06

從研究開(kāi)發(fā)到工藝生產(chǎn)使用,從表面微細加工到表面處理改質(zhì),等離子設備有著(zhù)非常廣泛的社會(huì )應用需求。

等離子設備在半導體、電子材料干式清洗中的應用越來(lái)越廣泛,如硅晶片的光刻膠剝離、除去有機膜、界面活性化、微細研磨、除去碳化膜等領(lǐng)域,YAMATO科學(xué)的等離子產(chǎn)品都發(fā)揮了積極作用。
等離子清洗機行業(yè)應用


YAMATO科學(xué)的等離子表面處理設備除了半導體相關(guān)的清洗用途外,在其他各種領(lǐng)域都有廣泛應用。

等離子處理對其他各種粘接,涂層,鍍膜等強度提高都有顯著(zhù)效果。


DP模式圓柱型?PR/PB系列

晶圓光刻膠的剝離、使用氧氣或氬氣進(jìn)行有機膜的去除、表面活性化、微研磨或碳膜去除等廣泛領(lǐng)域中使用。

DP模式圓柱型


RIE?DP方式平行平板型?PDC/V系列

RIE/DP 2種模式的等離子處理,可以使用于硅晶圓的蝕刻、干洗、以及傳感器等各種COB表面活性化處理,提高導線(xiàn)焊接的穩定性,金屬氧化物、金屬氫氧化物的蝕刻及去除電極表面的接合阻礙物。

RIE DP方式平行平板型


圓柱型構造(DP)

等離子裝置圓柱型構造

控制面板

等離子裝置控制面板

PLASMA?SUPER?CLEANER

IC封裝技術(shù)

等離子裝置IC封裝技術(shù)

等離子裝置斷面圖

BGA(all Grid Array Package)

BGA型 LSI

BGA封裝的等離子清洗效果


等離子裝置的刻蝕及灰化方式
蝕刻

等離子裝置的刻蝕方式


灰化

膠膜的灰化 等離子裝置灰化方式


等離子裝置的刻蝕及灰化方式

IC封裝由陶瓷變?yōu)殍T型樹(shù)脂,導線(xiàn)從Ni、Ai變更為Cu。對于這些產(chǎn)品進(jìn)步確實(shí)可以對應的等離子蝕刻·清洗技術(shù)。


Ar等離子去除金屬氧化物(PDC/V/ISP系列)

Ar等離子去除金屬氧化物


基板的清洗(V系列/ISP型)

基板的清洗


等離子蝕刻及灰化方式

有機膜去除

成型品離形劑

錫焊殘渣

油·潤滑脂(薄膜)

有機膜(播磨)

等離子清洗機有機膜去除


表面改質(zhì)

聚酯

聚丙烯

特氟龍

陶瓷

聚酰亞胺

等離子清洗機表面改質(zhì)


表面清洗

材料表面

等離子清洗機表面清洗


表面蝕刻

玻璃環(huán)氧樹(shù)脂

聚酰亞胺

等離子清洗機表面蝕刻


金屬氧化物去除

Cu 2 O,CuO

金屬氧化物去除


干法刻蝕

桶型

DP

化學(xué)蝕刻

化學(xué)蝕刻(各向同性)

平行平板

飛濺

物理蝕刻

物理蝕刻(各向異性)

測定數〔例〕

測定位置

硅晶片 8inch

測定數

平行平板電極 實(shí)驗1

試料膠:硅晶片 8inch

膠:正片型

電極
平行平板電極 作業(yè)面Φ350 電極間距離60mm
RF功率
500W
處理時(shí)間
5分
氣體流量
500sccm
壓力
100Pa
作業(yè)面溫度
180℃

測定位置





平均值
ini(A)
40290
40540
40930
40620
40670
40610
after(A)
18350
19980
15930
16150
16690
17420
ini-after(A )
21940
20560
25000
24470
23980
23190
reta(A/min)
4388
4112
5000
4894
4796
4638

最大值
最小值
均一性
5000
4112
9.573092

平行平板電極 實(shí)驗2

試料膠:硅晶片 8inch

膠:正片型

電極
平行平板電極 作業(yè)面Φ350 電極間距離60mm
RF功率
500W
處理時(shí)間
5分
氣體流量
500sccm
壓力
100Pa
作業(yè)面溫度
160℃

測定位置





平均值
ini (A)
40450
40480
40820
40780
40560
40618
after(A)
25290
24780
24250
24640
23890
24570
ini-after(A)
15160
15700
16570
16140
16670
16048
reta(A/min)
3032
3140
3314
3228
3334
3209.6

最大值
最小值
均一性
3334
3032
4.704636



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